變化一，國(guó)際大廠腳步放緩

Yole預(yù)計(jì)，全球SiC市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將從2025年接近60億美元增長(zhǎng)至2029年的100億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)約為36.7%。芯片和器件制造環(huán)節(jié)上，根據(jù)2023年企業(yè)財(cái)報(bào)測(cè)算，意法半導(dǎo)體(ST)、英飛凌(Infineon)、Wolfspeed、安森美(Onsemi)、羅姆(ROHM) 的總體市占率達(dá)到82%，產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)呈現(xiàn)高度集中狀態(tài)。yocesmc

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圖源：清純半導(dǎo)體yocesmc

得益于新能源汽車產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，這些大廠此前設(shè)定的業(yè)績(jī)目標(biāo)均為在2030年實(shí)現(xiàn)SiC功率電子市占率30-40%，產(chǎn)能規(guī)劃、投資力度方面也都頗為激進(jìn)。但下半年來(lái)，不夠穩(wěn)定的市場(chǎng)環(huán)境讓他們暫時(shí)放慢了腳步。yocesmc

• Wolfspeedyocesmc

近日，Wolfspeed宣布董事會(huì)已同意Gregg Lowe辭去公司總裁兼首席執(zhí)行官及董事會(huì)成員的職務(wù)。這一決定是在公司面臨電動(dòng)汽車需求放緩，工業(yè)、能源終端市場(chǎng)訂單減少，以及2025財(cái)年第一財(cái)季虧損2.82億美元的背景下做出的。yocesmc

盡管根據(jù)英國(guó)《芯片法案》的規(guī)定，Wolfspeed可能獲得24億美元的資金注入，但公司在向純200mm碳化硅晶圓和設(shè)備制造的轉(zhuǎn)型過(guò)程中仍然舉步維艱。yocesmc

本月早些時(shí)候，Wolfspeed表示將為計(jì)劃關(guān)閉一家位于美國(guó)北卡羅來(lái)納州達(dá)勒姆(Durham)的150mm SiC工廠準(zhǔn)備1.74億美元的重組費(fèi)用。公司還在最新一次財(cái)報(bào)電話會(huì)議上宣布將裁員20%(約1000人)，并放棄在德國(guó)恩斯多夫建廠計(jì)劃，以應(yīng)對(duì)歐洲電動(dòng)汽車市場(chǎng)需求的放緩。yocesmc

• 英飛凌yocesmc

據(jù)外媒報(bào)道，由于半導(dǎo)體市場(chǎng)低迷，英飛凌決定推遲馬來(lái)西亞居林晶圓廠的第二階段建設(shè)，并削減10%的投資。不過(guò)這一消息沒(méi)有得到英飛凌官方回應(yīng)，外界普遍猜測(cè)如果屬實(shí)，表明當(dāng)前市場(chǎng)環(huán)境仍不夠樂(lè)觀，正如英飛凌CEO指出，“市場(chǎng)周期性疲軟仍在繼續(xù)，許多終端市場(chǎng)的復(fù)蘇乏力。”yocesmc

英飛凌馬來(lái)西亞居林“超級(jí)晶圓廠”第二階段建設(shè)的投資額高達(dá)50億歐元，原計(jì)劃將在未來(lái)幾年內(nèi)繼續(xù)擴(kuò)建，完成后將成為全球最大且最具競(jìng)爭(zhēng)力的200毫米碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠。yocesmc

根據(jù)英飛凌2024財(cái)年的財(cái)報(bào)，該公司全年總營(yíng)收為149.55億歐元，同比下降8%；利潤(rùn)為31.05億歐元，利潤(rùn)率為20.8%，表明在面對(duì)市場(chǎng)需求疲軟的情況下該公司仍保持了一定的盈利能力。yocesmc

• 羅姆yocesmc

羅姆的SiC業(yè)務(wù)進(jìn)展及未來(lái)規(guī)劃也在近期做出了調(diào)整。按照原計(jì)劃，羅姆準(zhǔn)備在2021-2027年為SiC業(yè)務(wù)投入5100億日元(約合人民幣239.7億)，現(xiàn)在則準(zhǔn)備降至4700億-4800億日元(約合人民幣220.9億-225.6億)，2025財(cái)年達(dá)到1100億日元(約合人民幣51.7億)的銷售額目標(biāo)也被推遲到2026-2027年。yocesmc

產(chǎn)能方面，羅姆筑后工廠計(jì)劃于2025年開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)，宮崎第二工廠預(yù)計(jì)在2025年投產(chǎn)，原定“到2025年將SiC產(chǎn)能提升到2021年6倍”的目標(biāo)將順延至2026年實(shí)現(xiàn)。yocesmc

變化二，本土公司高速入局

盡管與國(guó)際大廠相比，國(guó)內(nèi)SiC的市場(chǎng)份額占比還比較小，但中國(guó)SiC器件設(shè)計(jì)與制造技術(shù)發(fā)展快速，產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)張。預(yù)計(jì)到2026年，中國(guó)SiC產(chǎn)能、襯底產(chǎn)能將達(dá)460萬(wàn)片，可滿足約3000萬(wàn)輛新能源汽車的SiC器件需求，也確實(shí)存在著產(chǎn)能過(guò)剩的風(fēng)險(xiǎn)。yocesmc

天岳先進(jìn)濟(jì)南和濟(jì)寧工廠年產(chǎn)能約6.7萬(wàn)片，主要為4~6英寸半絕緣型襯底；上海臨港工廠已于2023年5月開(kāi)始交付6英寸導(dǎo)電型SiC襯底，2026年全部達(dá)產(chǎn)后導(dǎo)電型碳化硅襯底年產(chǎn)能將超過(guò)30萬(wàn)片。2023年下半年，該公司決定將6英寸SiC襯底的生產(chǎn)規(guī)模擴(kuò)大至96萬(wàn)片/年。yocesmc

天科合達(dá)北京工廠二期處于規(guī)劃中；徐州工廠二期總投資8.3億元，規(guī)劃年產(chǎn)16萬(wàn)片碳化硅襯底晶片，2024年投產(chǎn)；今年2月，由天科合達(dá)子公司深圳重投天科負(fù)責(zé)運(yùn)營(yíng)的第三代半導(dǎo)體SiC材料生產(chǎn)基地也在深圳寶安區(qū)啟動(dòng)，今年襯底和外延產(chǎn)能達(dá)25萬(wàn)片。預(yù)計(jì)2025年底，天科合達(dá)6英寸襯底有效年產(chǎn)能達(dá)到55萬(wàn)片。yocesmc

爍科晶體SiC二期項(xiàng)目預(yù)計(jì)為公司每年新增20萬(wàn)片6~8英寸SiC襯底的產(chǎn)能，預(yù)計(jì)2025年實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)30萬(wàn)片。根據(jù)長(zhǎng)期規(guī)劃，公司將繼續(xù)投資30億，形成接近200萬(wàn)片的年產(chǎn)能。yocesmc

東尼電子的“年產(chǎn)12萬(wàn)片SiC半導(dǎo)體材料”項(xiàng)目于2023年上半年實(shí)施完畢，并計(jì)劃利用東尼五期廠區(qū)廠房，實(shí)施擴(kuò)建年產(chǎn)20萬(wàn)片6英寸SiC襯底材料項(xiàng)目。yocesmc

三安光電2025年二期項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，6英寸SiC襯底以及配套產(chǎn)能將達(dá)到36萬(wàn)片。預(yù)計(jì)2023年末至2024年初，6英寸SiC產(chǎn)能規(guī)劃擴(kuò)產(chǎn)至1.8~2萬(wàn)片/月。8英寸產(chǎn)線方面，除了與ST合資，在重慶投資32億美元(約220億元)建設(shè)8英寸SiC外延與芯片代工廠外，還將單獨(dú)投資70億元在重慶建設(shè)8英寸SiC襯底工廠。yocesmc

士蘭微8英寸SiC項(xiàng)目進(jìn)入土方工程收尾階段，預(yù)計(jì)于2025年第三季度初步通線，第四季度試生產(chǎn)?？偼顿Y規(guī)模約120億元，兩期建設(shè)完成后將形成8英寸碳化硅功率器件芯片年產(chǎn)72萬(wàn)片的生產(chǎn)能力。yocesmc

以上只是中國(guó)SiC行業(yè)投資擴(kuò)產(chǎn)熱情的一個(gè)縮影，據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，2023年全球公開(kāi)披露的SiC相關(guān)擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目就有121起，總投資金額高達(dá)260億美元。其中，來(lái)自中國(guó)的擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目就有97起。yocesmc

變化三，材料、器件、工藝，三維看技術(shù)

從材料來(lái)看，基于成本、良率的需求，晶圓材料正在向大尺寸、低缺陷SiC襯底及外延制備的方向發(fā)展。這里主要指的就是碳化硅晶片從6英寸向8英寸的轉(zhuǎn)型升級(jí)。yocesmc

從器件來(lái)看，追求更低的SiC MOSFET比導(dǎo)通電阻，同時(shí)在可靠性、魯棒性更接近硅基IGBT水準(zhǔn)。國(guó)際頭部大廠目前基本維持3-5年的迭代周期，每次迭代會(huì)帶來(lái)20%-25%的比導(dǎo)通電阻值下降。而中國(guó)SiC MOSFET最新技術(shù)已經(jīng)對(duì)標(biāo)國(guó)際主流水平，并保持1年1代的快速迭代節(jié)奏。yocesmc

從工藝來(lái)看，繼續(xù)研究制約SiC MOSFET發(fā)展的基礎(chǔ)科學(xué)問(wèn)題，比如通過(guò)采用高純度SiC襯底、改進(jìn)柵氧化層制作工藝來(lái)提升溝道遷移率等。yocesmc

變化四，價(jià)格持續(xù)下跌

進(jìn)入2024年，6英寸碳化硅晶圓襯底的主流市場(chǎng)價(jià)格已從高位迅速降至400~450美元的區(qū)間，較之前有了大幅下降。據(jù)行業(yè)分析師分析，6英寸碳化硅價(jià)格的暴跌主要?dú)w因于供應(yīng)過(guò)剩和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇，而且隨著中國(guó)碳化硅產(chǎn)能擴(kuò)張，大量產(chǎn)品涌入市場(chǎng)，導(dǎo)致供需失衡，價(jià)格承壓下跌。yocesmc

在中國(guó)市場(chǎng)，6英寸碳化硅襯底的價(jià)格下跌更為顯著。與國(guó)際供應(yīng)商報(bào)價(jià)維持在750~800美元之間相比，中國(guó)制造商的價(jià)格與國(guó)際供應(yīng)商的價(jià)格差異已擴(kuò)大至30%左右，反映出中國(guó)碳化硅市場(chǎng)的激烈競(jìng)爭(zhēng)和供應(yīng)過(guò)剩的現(xiàn)狀。yocesmc

器件價(jià)格方面，從去年9月到今年4月，1200V/40mΩ SiC MOSFET的平均價(jià)格已經(jīng)從35元跌到23元，下降幅度達(dá)到35%。對(duì)比同類型的1200V/40mΩ 硅基IGBT的價(jià)格，目前SiC器件的價(jià)格是硅基器件的1.5-2倍。業(yè)內(nèi)人士預(yù)測(cè)稱，未來(lái)兩三年內(nèi)，SiC器件與同規(guī)格IGBT器件的價(jià)格對(duì)比數(shù)值有望下降到1.2-1.5倍。yocesmc

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圖源：清純半導(dǎo)體yocesmc

業(yè)內(nèi)專家表示，碳化硅襯底和外延的價(jià)格都在持續(xù)下降，這種趨勢(shì)在短期內(nèi)可能繼續(xù)存在。隨著新布局產(chǎn)能的陸續(xù)投產(chǎn)，價(jià)格戰(zhàn)可能進(jìn)一步加劇，導(dǎo)致價(jià)格進(jìn)一步下跌。yocesmc

變化五，應(yīng)用與產(chǎn)業(yè)鏈呈現(xiàn)動(dòng)態(tài)發(fā)展

目前看到的一個(gè)明顯趨勢(shì)，是隨著汽車制造商對(duì)更高能效和續(xù)航能力的追求，整車廠在接下來(lái)的兩三年里會(huì)發(fā)布更多搭載800V平臺(tái)的車型，對(duì)SiC功率器件的需求會(huì)進(jìn)一步增加?？梢哉f(shuō)，“800V+SiC”已經(jīng)基本成為高端電動(dòng)汽車標(biāo)配。yocesmc

與新能源汽車市場(chǎng)同步高速發(fā)展的還有充電基礎(chǔ)設(shè)施，尤其是在中國(guó)市場(chǎng)，新能源汽車與充電樁的配比達(dá)到了2.5:1，遠(yuǎn)高于歐美8:1的比例。根據(jù)中國(guó)充電聯(lián)盟數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)到2027年，中國(guó)用于充電基礎(chǔ)設(shè)施的第三代功率電子市場(chǎng)將達(dá)到21.8億元。這其中，高壓直流快充為SiC功率電子創(chuàng)造的市場(chǎng)機(jī)會(huì)最大。yocesmc

業(yè)內(nèi)人士指出，在完成SiC半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新及市場(chǎng)教育后，國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)將逐步從技術(shù)研發(fā)轉(zhuǎn)移到大規(guī)模量產(chǎn)，而依托巨大的應(yīng)用市場(chǎng)和高效產(chǎn)能提升，中國(guó)在不久的將來(lái)很有可能主導(dǎo)全球SiC產(chǎn)業(yè)——第一階段是國(guó)際芯片供應(yīng)商主導(dǎo)供應(yīng)鏈，國(guó)內(nèi)SiC材料實(shí)現(xiàn)部分替代；第二階段是國(guó)內(nèi)市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)全面國(guó)產(chǎn)替代，國(guó)際芯片與終端企業(yè)、國(guó)內(nèi)企業(yè)展開(kāi)全面合作。yocesmc